MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用  

作　　者：丁卫华 

机构地区：[1]应用材料(中国)有限公司

出　　处：《集成电路应用》2007年第10期55-56,共2页Application of IC

摘　　要：氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0．18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中，MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及，钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出，但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上，MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。

关 键 词：超大规模集成电路 MOCVD技术 氮化钛 应用 沉积 逻辑集成电路 填充技术 芯片制造 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]