香港科技大学研究人员开发基于氮化镓的互补逻辑集成电路  

出　　处：《金属功能材料》2021年第5期103-103,共1页Metallic Functional Materials

摘　　要：据TechXplore 9月6日消息,香港科技大学(HKUST)的研究人员开发了一系列基于氮化镓(GaN)的互补逻辑集成电路(IC)。研究人员展示了一种单片集成GaN n-FET和p-FET的合适策略,并证明了构建基于GaN的互补逻辑IC的可行性。为此,研究人员使用了商用p-GaN栅极功率HEMT平台,可以将新开发的互补电路与现有功率器件集成。基于GaN制成的IC与基于硅的传统IC相比具有显著的优势,特别是在电力电子、射频功率放大器和设计用于在恶劣环境中运行的设备方面。

关 键 词：逻辑集成电路 射频功率放大器 单片集成 电力电子 功率器件 GaN FET HEMT 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]