第四代半导体锑化物低维结构中红外激光器:从原理到器件  

作　　者：牛智川[1] 徐应强[1] 张宇[1] 杨成奥 陈益航 王天放 余红光 石建美 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《科技纵览》2021年第10期74-77,共4页IEEE Spectrum

基　　金：国家自然科学基金重大项目“梯化物低维结构中红外激光器基础理论与关鍵技术”(项目编号:61790580)的支持。

摘　　要：半导体材料体系的迭代更新一直紧密关联着高新技术的发展.第一代半导体材料主要为硅(Si)与锗(Ge),第二代半导体材料主要为砷化镓(GaAs)与磷化铟(InP),第三代半导体材料主要为碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN).随着前三代半导体材料及由其制备的典型器件相继得到广泛应用,微电子、通信、量子信息、人工智能、碳中和等高新技术获得了巨大的发展驱动力,并实现变革性突破;与此同时,高新技术的快速发展也对半导体器件的性能和功耗等提出了更高的要求,促进着半导体器件的迭代更新.因此,如何发展实现兼具高性能、低功耗、低成本的第四代半导体材料器件技术,已成为国际前沿技术领域的研究热点和重点.

关 键 词：半导体材料 半导体器件 低维结构 中红外激光器 器件技术 锑化物 人工智能 量子信息 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]