CMOS-MEMS薄膜热导率的测量  

Thermal Conductivities for Thin Film Materials in CMOS MEMS

作　　者：宋翔宇 许威 SONG Xiangyu;XU Wei

机构地区：[1]不详

出　　处：《电子与封装》2022年第2期88-88,共1页Electronics & Packaging

摘　　要：随着集成电路(IC)特征尺寸的缩小,CMOS微电子器件发热功率密度急剧增加,相应热能在不同薄膜层内传输。为了助力IC芯片封装热管理及MEMS热学芯片的设计与优化,CMOS-MEMS薄膜热导率的测量尤为重要,然而现有技术很难在芯片实际工作中进行原位热导率测量。近期深圳大学许威助理教授联合香港科技大学LEE教授团队设计了一种巧妙的MEMS结构,提出了一种新的测量方案,可以有效复现芯片工作中薄膜热导率的测量。

关 键 词：微电子器件 助理教授 热导率 薄膜层 特征尺寸 IC芯片 测量方案 功率密度 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]