G波段1W GaN固态功率放大器  

G-band 1W GaN Solid-state Power Amplifier

作　　者：成海峰[1] 朱翔 徐建华[1] 周明[1] 王维波[1] CHENG Haifeng;ZHU Xiang;XU Jianhua;ZHOU Ming;WANG Weibo(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2022年第1期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所首次成功研制了G波段瓦级固态功率放大器。该固态放大器以南京电子器件研究所自主研制的G波段GaN功率MMIC为基础,结合太赫兹低损耗传输技术和高效合成技术,实现了16路高效功率合成,典型输出功率达到1W。G波段固态功率放大器的实物照片如图1所示,该固态功率放大器外形尺寸为:280 mm ×204 mm ×48 mm。

关 键 词：固态功率放大器 功率合成 固态放大器 GAN 传输技术 太赫兹 MMIC 实物照片 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]