磁控溅射法制备ZAO薄膜的性能分析  

作　　者：张宇 

机构地区：[1]辽宁开放大学,辽宁沈阳110034

出　　处：《电大理工》2022年第1期26-30,共5页Study of Science and Engineering at RTVU.

摘　　要：ZAO薄膜具有电导率高、光学透射率高的优点,且易掺杂、制备成本低廉,是ZnO基透明导电薄膜的重要研究方向。采用磁控溅射法制备ZAO薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、UV-8000型紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等设备研究了Al掺杂量、衬底温度对ZAO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,ZAO薄膜晶粒均以c轴(002)方向为主择优取向生长,所有的ZAO薄膜均为纤锌矿结构,薄膜表面平整。随着Al掺杂量的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐减弱至消失。薄膜方块电阻随着衬底温度升高先减小后缓慢增大,其中衬底温度为200℃时,方块电阻约为3.64×106Ω/□,导电性最好。而且该薄膜具有较好的可见光范围内平均透过率,约为85%。

关 键 词：ZAO薄膜 磁控溅射 衬底温度 电阻 透光率 

分 类 号：TB304.2[一般工业技术—材料科学与工程]