科学家开发出三维垂直场效应晶体管  

出　　处：《河南科技》2022年第12期2-2,共1页Henan Science and Technology

摘　　要：通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道,日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管,可用来生产高密度数据存储器件。此外,通过使用反铁电体代替铁电体,他们发现擦除数据只需要很小的净电荷,从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该项成果,将催生新的更小、更环保的数据存储器。

关 键 词：场效应晶体管 氧化物半导体 原子层沉积 数据存储器 反铁电体 净电荷 IEEE 绝缘体 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]