盖覆电镀工艺改善  

Improvement of cap plating process

作　　者：郝永春 秦正鹏 夏国伟 李辉 Hao Yongchun;Qing Zhengpeng;Xia Guowei;Li Hui(Victory Giant Technology(Hui Zhou)Co.,Ltd.Guang Dong,Postcode:516211)

机构地区：[1]胜宏科技(惠州)股份有限公司技术部,广东惠州516211 [2]胜宏科技(惠州)股份有限公司,广东惠州516211

出　　处：《印制电路信息》2022年第12期64-66,共3页Printed Circuit Information

摘　　要：1技术分析1.1现状问题印制电路板(PCB)为增加布线密度,采取导通孔树脂填孔后盖覆镀铜(Cap Plating)。为防止出现漏盖和盖覆不良的情况出现广大的电镀生产商生产时采用两次沉铜盖孔和降低沉铜线线速的生产模式来满足品质,并且还是有出现漏盖的情况。严重影响在制品的生产进度和电镀工序的生产效率。1.2问题分析和方案孔盖覆电镀和常规金属化孔工艺过程相同,只是填孔树脂表面状态和孔壁不同,而且孔的树脂面接触面积过小,导致上铜困难,如图1所示。

关 键 词：金属化孔 填孔 导通孔 电镀工艺 面接触 生产进度 表面状态 工艺过程 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学]