第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术  

No. 22:Chemical Vapor Deposition Technology

作　　者：张以忱[1] ZHANG Yi-chen

机构地区：[1]东北大学,辽宁沈阳110004

出　　处：《真空》2023年第3期86-88,共3页Vacuum

摘　　要：(接2023年第2期88页)(5)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下:(1)PECVD反应是非选择性的。在等离子体中,电子能量分布的范围宽,除电子碰撞外,其离子的碰撞和放电时产生的射线作用也可产生新的粒子。从这一点上看,等离子体增强CVD的反应未必是选择性的,有可能存在几种化学反应,致使反应产物难以控制。有些反应机理也难以解释清楚。所以采用等离子体增强CVD难以获得纯净的物质。

关 键 词：电子碰撞 等离子体增强 化学气相沉积 电子能量分布 金属膜 聚合膜 反应产物 PECVD 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]