等离子体化学气相沉积镀膜设备  

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment PECVD系列

出　　处：《中国科学院院刊》2023年第S01期40-40,共1页Bulletin of Chinese Academy of Sciences

摘　　要：主要技术与性能指标,中央传输室极限压力:≤2×10^(−4)Pa,进出片室极限压力:≤6.67×10^(−1)Pa,沉积室极限压力:≤2×10^(−6)Pa,80 mm×80 mm面积以内的硅薄膜,薄膜厚度均匀性偏差:<±3%,50 mm×50 mm面积以内的硅薄膜,薄膜厚度均匀性偏差:<±2.8%,薄膜厚度重复性:<5%。

关 键 词：等离子体化学气相沉积 极限压力 镀膜设备 硅薄膜 薄膜厚度 性能指标 重复性 

分 类 号：O48[理学—固体物理]