AlN陶瓷基片专利技术分析  

作　　者：钟玉姣 曹苏恬 温馨 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作四川中心

出　　处：《中国科技信息》2024年第4期20-22,共3页China Science and Technology Information

基　　金：国家知识产权局学术委员会2023年度半导体功率器件用陶瓷基板及金属化技术专利分析课题。

摘　　要：随着第三代半导体的崛起和发展,半导体功率器件集成度和功率密度明显提高,电子封装系统的散热问题已成为影响其性能和寿命的关键。陶瓷基片因兼具高耐热性、高热导率、高可靠性、低的热失配率、好的绝缘性能和高频特性,被认为是最有前途的封装材料,近年来得以快速发展。AlN陶瓷因具有高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数以及良好的绝缘性等优点成为电路基片材料的最佳选择之一。本文通过对半导体功率器件用AlN陶瓷基片的国内外专利进行分析,得到AlN陶瓷基片技术的国内外发展状况及发展方向,供相关领域技术人员参考。相关中文专利数据来源为中国专利全文数据库(CNTXT),外文专利数据来源为外国专利全文中文翻译数据库(ENTXTC),检索数据截至2023年8月。

关 键 词：ALN陶瓷 高热导率 高耐热性 陶瓷基片 热膨胀系数 专利全文 低介电常数 封装材料 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]