西安电子科技大学攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术  

出　　处：《陕西教育（高教版）》2024年第9期9-9,共1页

摘　　要：近日,西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN(氮化镓)电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。李祥东团队与广东致能科技公司联合攻克了≥1200V超薄GaN缓冲层外延、p-GaN栅HEMTs设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术,成功开发出阈值电压超过2V、耐压达3000V的6英寸蓝宝石基增强型e GaNHEMTs晶圆,展示了替代中高压硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潜力。

关 键 词：电子芯片 氮化镓 阈值电压 缓冲层 HEMTS 高硬度材料 蓝宝石 GAN 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]