基于硅基晶圆级封装模组技术的W波段T/R组件  

The W-band T/R Module Based on Silicon Wafer-level Packaging Module Technology

作　　者：凌显宝 张君直[1] 葛逢春 侯芳[1] 朱健[1] LIAN Xianbao;ZHANG Junzhi;GE Fengchun;HOU Fang;ZHU Jian(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2024年第4期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：碳传统的W波段T/R组件需要将复杂精密的波导机械结构和精巧的耦合探针以及高频芯片一体化集成。该类组件的工程制造中将面临气密性、工艺复杂性以及多芯片组装良率的挑战。随着W波段复杂组件的工程化需求激增,对于W波段组件的可制造性提出更高要求。南京电子器件研究所通过采用先进的硅基半导体集成工艺,将高性能的化合物芯片、硅芯片等多种工艺制程的芯片集成到硅基晶圆上,再利用硅基三维刻蚀工艺制作波导结构,实现高性能的W波段硅基晶圆级封装集成模组制造。如图1所示,基于硅基晶圆级封装模组技术的W波段T/R组件具有良好的电性能。

关 键 词：T/R组件 晶圆级封装 模组 一体化集成 集成工艺 波导结构 硅芯片 可制造性 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]