辐射敏感PMOS管的研制  

Research on Radioactive Sensitive PMOS Device

作　　者：陈德英[1] 蔡振波[2] 姜岩峰[1] 张旭[1] 王成 樊路嘉[1] 

机构地区：[1]MEMS重点实验室东南大学,南京210096 [2]航天部五院 [3]信息部第55研究所

出　　处：《电子器件》2002年第4期345-348,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。WT10.5,10.BZ]A type of radioactive sensitive PMOS device with different channel length( L ) and varied ratio of width to length ( W/L ) has been fabricated successfully. Moreover, their DC parameters are measured, too.

关 键 词：PMOS管 辐射敏感 阈值电压漂移 阈值吸收剂量 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]