PMOS管

作品数：16被引量：11H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：贺凌翔骆盛张准贺威吴庆阳更多>>
相关机构：微电子有限公司深圳大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司浙江大学更多>>
相关期刊：《物联网技术》《传感技术学报》《微电子学》《电子技术应用》更多>>
相关基金：国家自然科学基金湖南省教育厅优秀青年基金安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种散热风扇智能控制器电路的设计被引量：1
《物联网技术》2022年第5期85-87,共3页肖诗达 骆训卫 俱强伟 
针对通信电源工作期间的过热问题,考虑采用温控风扇进行解决,还能避免待机状态时因风扇空转引起的功耗和噪声。通过对通信电源工作时的内部温度进行采样来智能控制风扇的转停,进而实现通信电源内部温度控制。首先,风扇的开机与关机是通...
关键词：温度继电器 PMOS管 三极管 SABER仿真 智能温度控制 风扇 
功率PMOS管的有源泄放驱动电路研究被引量：3
《电工技术学报》2019年第S02期528-533,共6页员翠平 刘树林 赵倩 张少雄 裴晋军 
国家自然科学基金项目(51777167,51604217);陕西省技术创新引导专项计划项目(2017CGZH-XN/GJ-09)资助
为提高功率PMOS管的开关速度,分析其开关特性,提出一种能够快速开通与关断功率PMOS管的有源泄放驱动电路。通过在其栅源极间并接开关电路,并由PWM脉冲控制开关电路中电容充放电以实现并接开关管的开通与关断,迫使功率PMOS管栅-源寄生电...
关键词：功率PMOS管 栅-源寄生电容 开关特性 有源泄放驱动电路 
一种图腾柱式驱动电路参数优化设计方法
《空间控制技术与应用》2019年第5期37-44,共8页刘露咪 郭超勇 李晓辉 吕振华 吴纾婕 
图腾柱式MOSFET驱动电路被广泛应用于空间机电伺服系统,其电路拓扑中多个参数共同决定着MOSFET开关特性,进而影响着机电产品的伺服性能.针对三相全桥上桥臂PMOS驱动电路设计过程中,电路参数多而导致不易实现最优开关特性的问题,从图腾...
关键词：PMOS管 驱动电路 图腾柱式驱动 
高热预算三维存储工艺中表面沟道PMOS研究
《微电子学》2019年第3期427-430,446,共5页汪宗武 李雪 田武 许文山 孙超 董洁琼 江宁 夏志良 霍宗亮 
国家自然科学基金资助项目(61474137);国家重点研发计划资助项目(2018YFB1107700)
采用标准三维存储器工艺,制备作为外围器件的表面沟道PMOS管。存储单元制备过程中的高热预算对p型掺杂的多晶栅影响很大,尤其是金属硅化物作为栅极接触材料的p型多晶硅。对影响表面沟道PMOS管性能的因素进行研究,发现多晶硅侧墙氧化温...
关键词：三维存储器 硼分凝 多晶硅 栅耗尽 表面沟道低压PMOS管 
N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究被引量：1
《微电子学》2018年第4期515-519,共5页赵强 徐骅 刘畅咏 韩波 彭春雨 王静 吴秀龙 
国家自然科学基金资助项目(61674002);安徽省自然科学基金青年项目(1808085QF209);安徽省高校自然科学研究项目(KJ2017A333)
基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器...
关键词：PMOS 单粒子瞬态 工艺波动 掺杂浓度 N阱 
PMOS管工艺参数对反相器SET效应的影响被引量：2
《微电子学》2017年第6期842-846,共5页朱佳琪 袁波 吴秀龙 
国家自然科学基金资助项目(61674002)
研究了体硅CMOS工艺下数字集成电路的抗辐照特性。利用Synopsys公司的三维半导体器件模拟软件Sentaurus,对数字集成电路中的反相器电路进行单粒子瞬态(SET)效应仿真,分析PMOS管的各种工艺参数对反相器SET效应产生的脉冲电压的影响。研...
关键词：工艺参数 单粒子效应 抗辐照 脉冲电压 
一种理解和设计传输门逻辑和静态CMOS门逻辑电路的方法
《电子世界》2013年第12期133-134,共2页闵意 方靖淮 仲崇贵 纪宪明 董正超 
国家自然科学基金(基金号:No.11104072;No.11004066;No.10974104 and No.11104151)资助;江苏省自然科学基金资助(基金号:No.BK2012655)
在充分了解NMOS管和PMOS管电学特性的基础上,我们总结了一个理解和设计传输门逻辑和静态CMOS门逻辑电路的方法,这种方法能够简单易懂的去理解基于MOS器件的传输门和静态CMOS门逻辑电路。运用这种方法,我们也可以方便的去设计传输门和静...
关键词：传输门逻辑 CMOS门逻辑 NMOS管 PMOS管 
一种PMOS管传输型高效电荷泵电路设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第1期95-99,共5页李珂 郭晓宇 
设计了一种基于传统Dickson结构的PMOS管传输型电荷泵电路。电路通过衬底电位跟随器实现PMOS管传输,避免了传输过程中阈值电压损失;通过电阻分压反馈网络、控制振荡器输出达到稳压的目的;在电荷泵不工作时,各个子电路关断,实现低功耗设...
关键词：电荷泵 衬底电位调制 P沟道金属氧化物半导体晶体管 
集成PMOS管变容特性分析与仿真建模
《现代电子技术》2011年第12期183-185,188,共4页曹新亮 张威虎 
陕西省教育厅资助项目(08JK487)
为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMO...
关键词：PMOS管 准静态曲线 特性曲线 高频特性模型 变容模型 
RFID电子标签中EEPROM的改进设计被引量：1
《电子技术应用》2009年第6期85-87,共3页钟桂东 王炜 
介绍了RFID无源标签设计中的EEPROM存储器结构,通过分析Dickson电荷泵的工作原理以及广泛应用的NMOS电荷泵的设计思想,提出了一种改进的PMOS电荷泵设计方法,能够消除NMOS电荷泵电路中由于衬底接地而产生的衬偏电压造成的体效应,并对该P...
关键词：RFID EEPROM 电荷泵 NMOS管 PMOS管 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部