金属氧化物半导体气敏晶体的Poisson方程解及其应用(Ⅱ)  

Solution of Poisson Equation for Metal Oxide Semiconductor Gas Sen -sing Crystals and Its Application(Ⅱ)

在线阅读下载全文

作  者:吕红浪[1] 

机构地区:[1]济南大学机械工程学院,山东济南250022

出  处:《济南大学学报(自然科学版)》2002年第4期352-354,共3页Journal of University of Jinan(Science and Technology)

摘  要:给出了多孔的金属氧化物半导体气敏晶体的既含晶粒间界传感作用又含晶粒缩颈传感作用的截面电导公式。又利用前文中所求得的Poisson方程的解 。The cross-section conductance formula,which contains the sensing function of grain-boundaries and grain-necks in porous metal oxide semiconductor gas sensing crystals,is proposed.On the basis of the solution of the Poission equation derived above, the best sensitivity crystal-grain dimension is proved by means of a combination of experiments and theoretical calculations.

关 键 词:金属氧化物半导体 气敏晶体 POISSON方程  晶粒间界 截面电导 灵敏度晶粒尺寸 

分 类 号:TN304.21[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象