对Cu焊区的倒装芯片凸点下金属化系统的研究  

出　　处：《混合微电子技术》2002年第3期24-30,34,共8页Hybrid Microelectronics Technology

摘　　要：本文研究了采用化学镀铜（E-Cu）和化学镀镍（E-Ni)方法制作的Cu焊区上倒装芯片焊料凸点用的UBM材料系统，还研究了UBM与Sn-36Pb-2Ag焊料之间的界面反应对焊料凸点连接可靠性的影响，以优化Cu焊区上倒装芯片用的UBM材料。对于E-CuUBM来说，在焊料/E-Cu界面上形成贝壳状的Cu6Sn5金属互化物（IMC），在较小的载荷下沿这个界面发生凸点断裂。与此相反，在E-Nie-Cu UBM的情况下，E-Ni成为一个好的扩散阻挡层。E-Ni有效地限制了IMC在该界面上的生长，而多边形形状的Ni3Sn4IMC产生比E-CuUBM高的附着强度。因此，化学镀沉积的UBM系统被成功地证明可作为低成本的Cu焊区上UBM方法。发现E-NiE-CuUBM材料是比E-Cu UBM更好的Cu焊区上倒装芯片焊料互连的材料。

关 键 词：Cu焊区 倒装芯片 金属化系统 焊料凸点 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]