AlN薄膜室温直接键合技术  

Room-Temperature AlN Direct Bonding

作　　者：门传玲[1] 徐政[1] 安正华[2] 吴雁军[2] 林成鲁[2] 

机构地区：[1]同济大学材料学院微电子所,上海200092 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第2期216-220,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4和 90 10 10 12 )资助项目~~

摘　　要：采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 .AlN films are grown on 100mm Si(100) substrate by ion beam enhanced deposition (IBED) technique.AFM result shows a smooth surface,with RMS value of 0 13nm.Furthermore,for the first time,a novel silicon on aluminum nitride (SOAN) structure is successfully fabricated by room temperature bonding of AlN with a hydrogen implanted Si wafer through the smart cut process.Spreading resistance profile (SRP),Rutherford backscattering spectrometry channeling (RBS/C) and cross section transmission microscopy (XTEM) are used to characterize the obtained SOAN structure.

关 键 词：直接键合 A1N薄膜 智能剥离 绝缘层上硅 离子束增强沉积 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]