关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究  

作　　者：刘咸成[1] 唐景庭[1] 伍三忠 贾京英 郭建辉 刘求益 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十八研究所,410111

出　　处：《集成电路应用》2003年第3期53-55,共3页Application of IC

摘　　要：本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理,并提出相应的解决措施。

关 键 词：注氧机 SOI SIMOX 溅射 电离 粒子污染 半导体材料 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]