TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型  

Current Conducting Mechanism and 2-D Analytical Drain Current Model for TF SOI PMOSFET

作　　者：张海鹏[1] 魏同立[1] 宋安飞[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第1期18-22,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS0 9.8.1JW0 60 4)

摘　　要：从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。Proceeding from the physical state variations of the silicon film under the forward gate of TF AM SOI PMOSFET versus forward gate and drain biases, its current-conducting mechanisms are analyzed theoretically and deeply by biasing its back-gate at -5.0V . Then the 2-D analytical model of drain current at all kinds of forward-gate and drain biases is also derived. Therefore, a theoretic fundament is founded for the experiment researches of high temperature TF AM SOI PMOSFET and CMOS digital circuits, and some theoretic bases are obtained for design of them.

关 键 词：SOI PMOSFET 导电机理 漏电流 二维解析模型 薄膜积累型 P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]