火焰水解淀积Si02膜的退火研究  

作　　者：张乐天[1] 王昕[2] 吴远大[1] 邢华[1] 李爱武[1] 郑伟[1] 张玉书[1] 

机构地区：[1]吉林大学集成光电子国家重点实验室，长春130023 [2]吉林大学文学院，长春130012

出　　处：《光子学报》2002年第0Z2期239-243,共5页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO2膜，然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理。我们利用原子力量微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS），X射线衍射仪（XRD）及可变入射角椭圆偏振仪（VASE）对SiO2膜进行了测试分析。当退火温度达到1400℃时，SiO2膜致密均匀，适合用作波导的下包层。

关 键 词：硅衬底 光波导 SIO2膜 退火处理 下包层材料 淀积 火焰水解 光通信 波分复用系统 二氧化硅膜 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学] TN929.