一种快速电压变换器的研制  

Development of a Fast Voltage Converter

作　　者：羊庆龄 孟华群[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2003年第2期160-162,共3页Microelectronics

摘　　要：　介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计。该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50ns的输入输出延迟时间。该电路可广泛应用于GaAsFET功率放大器的控制电路中。A fast voltage converter has been developed, and its circuit, layout and process design are reviewed in the paper A polysilicon emitter selfalignment technique is used for the device An input/output delay time less than 50 ns is achieved The circuit can be widely used in the controller of GaAs FET power amplifiers

关 键 词：电压变换器 工艺设计 多晶硅发射极 自对准工艺 输入输出延迟时间 模拟集成电路 GaAs-FET功率放大器 

分 类 号：TM42[电气工程—电器]