孟华群

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：相控阵雷达铁氧体抗辐射加固D/A转换器基准电压源更多>>
发文领域：电子电信环境科学与工程电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》更多>>
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一种12位D／A转换器的技术研究被引量：4
《微电子学》2008年第1期64-67,共4页杨卫东 李儒章 刘勇 杨永辉 俞宙 孟华群 
介绍了一种12位带内基准的电压输出型D/A转换器的电路实现原理、线路设计及其制作工艺特点。通过采用优化设计的R-2R电阻开关网络、温度补偿齐纳基准源和带JFET输入级的输出运算放大器等模拟电路单元,基于一种P阱5μm LC2MOS工艺,研制出...
关键词：D/A转换器 齐纳基准电压源 输出运算放大器 LC^2MOS标准工艺 
一种铁氧体移相驱动器的研制
《微电子学》2005年第6期680-682,共3页孟华群 周玉涛 
介绍了一种铁氧体移相驱动器,对其工作原理、线路设计、版图设计及可靠性设计进行了简要描述。该铁氧体移相驱动器具有功能齐全、速度快、功耗低、输出电流大、输出高电平一致性好等特点。其内部电路设计有:双路功率驱动器(用以驱动整...
关键词：铁氧体 移相驱动器 相控阵雷达 
一种快速电压变换器的研制
《微电子学》2003年第2期160-162,共3页羊庆龄 孟华群 
　介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计。该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50ns的输入输出延迟时间。该电路可广泛应用于GaAsFET功率放大器的控制电路中。
关键词：电压变换器 工艺设计 多晶硅发射极 自对准工艺 输入输出延迟时间 模拟集成电路 GaAs-FET功率放大器 
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