液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制  

The Liquid Source Chemical Vapor Deposition Equip ment Used in making SiO_2 Film

作　　者：廖佐昇[1] 范迎新[1] 任伟[1] 王萍[1] 李学文[1] 杨基南[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙410111

出　　处：《电子工业专用设备》2003年第3期55-57,共3页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。The Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment which use liquid organ ic silicon source is the bridge to sub-micron time.This article introduces the work principle,struc-ture features and process results of liquid source CVD.The film thickness uni formity of made SiO 2 film is±2%.The refractivity is1.452±0.014.The develop ment rate is40nm?min.

关 键 词：液态源 等离子体 化学气相沉积 设备 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]