Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响  

Influnce of Al-content on the property of the two-dimensional electron gases in Al_xGa_(1-x)N/GaN heterostructures

作　　者：孔月婵[1] 郑有炓[1] 储荣明[1] 顾书林[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《物理学报》2003年第7期1756-1760,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 13 60 2 0 );国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 )资助的课题~~

摘　　要：通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,研究了Al组分对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气性质的影响 ,给出了AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气分布和面密度 ,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1 -xN势垒层中Al组分的变化关系 ,并用AlxGa1 -xN GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析 .By self consistently sovling the coupled Schrdinger and Poisson equations, we have investingated the property of the two dimensional electron gases (2DEG) in Al x Ga 1- x N/GaN heterostructures. We demonstrate the dependence of the density, the distribution, and the subband occupation of the 2DEG on the Al\|content of the AlGaN barrier. Band offset and mechanism of spontaneous and piezoelectric polarization were concerned to discuss our results.

关 键 词：AlxGal-xN/GaN异质结构 铝组分 二维电子气 自发极化 压电极化 能带偏移 半导体 氮镓铝化合物 氮化镓 

分 类 号：O472.2[理学—半导体物理]