III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制  

The Fabrication of Schottky Barrier Diodes

作　　者：俞慧强[1] 张荣[1] 周玉刚[1] 沈波[1] 顾书林[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《高技术通讯》2003年第7期50-53,共4页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划 ( 2 0 0 1AA3 11110 ) ;973规划 (G2 0 0 0 0 683 0 5 ) ;国家自然科学基金 ( 699760 14 ;6980 60 0 6;699870 0 1);国家杰出青年基金 ( #60 0 2 5 411)资助项目

摘　　要：研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流 电压特性 。Schottky barrier diodes with different metal on III nitride have been fabricated. The electrical characteristics of these devices were measured. The reasons that the devices deflect from the ideal situation are analyzed and discussed.

关 键 词：III族氮化物 肖特基势垒二极管 氮化钾 半导体材料 氮化铝 理想因子 势垒高度 能带 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]