III族氮化物

作品数：4被引量：16H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：孙钱杨辉冯美鑫高宏伟周宇更多>>
相关机构：丰田合成株式会社住友电气工业株式会社同和电子科技有限公司中国科学院更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《物理化学学报》《国外科技新书评介》《Journal of Semiconductors》更多>>
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新型石墨烯基LED器件:从生长机理到器件特性被引量：14
《物理化学学报》2020年第1期113-126,共14页陈召龙 高鹏 刘忠范 
国家重点基础研究发展规划项目(973)(2016YFA0200103);国家自然科学基金(51432002,51290272);北京市科学技术委员会(Z181100004818002)资助.
III族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中。目前III族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与III族氮化物之间...
关键词：石墨烯 化学气相沉积 蓝宝石 III族氮化物 LED 准范德华外延 
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1184-1188,共5页赵红 张荣 谢自力 刘斌 修向前 陆海 李亮 刘战辉 江若琏 韩平 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)资助项目~~
利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的III族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外可见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进...
关键词：阴极荧光联合分析系统 III族氮化物 阴极荧光特性 
III族氮化物半导体材料
《国外科技新书评介》2007年第7期21-22,共2页孔梅影 
III族氮化物半导体材料（Al，In，Ca）N，（包括GaN、InN、A1N、InGaN、A1GaN和AllnGaN等）是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝一绿一白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和...
关键词：半导体材料 氮化物 III 光电子器件 INGAN 蓝光激光器 INN 高功率 
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
《高技术通讯》2003年第7期50-53,共4页俞慧强 张荣 周玉刚 沈波 顾书林 施毅 郑有炓 
863计划 ( 2 0 0 1AA3 11110 ) ;973规划 (G2 0 0 0 0 683 0 5 ) ;国家自然科学基金 ( 699760 14 ;6980 60 0 6;699870 0 1);国家杰出青年基金 ( #60 0 2 5 411)资助项目
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流 电压特性 。
关键词：III族氮化物 肖特基势垒二极管 氮化钾 半导体材料 氮化铝 理想因子 势垒高度 能带 
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