Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性  

Reliability of DC characteristics in mesa Si/SiGe/Si HBT

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作  者:崔福现[1] 张万荣 

机构地区:[1]中国电子科技集团公司十三所,河北石家庄050051 [2]北京工业大学,北京100022

出  处:《微纳电子技术》2003年第10期17-19,共3页Micronanoelectronic Technology

摘  要:对单台面SiGeHBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢。The reliability in DC characteristics of single-mesa SiGe HBT is investigated under reverse emitter-base stress due to hot holes.The results show that as the stress time increase,turn-on voltage increase,DC current gain decrease,particularly at low forward base-emitter bias.However,AC current gain degrade slowly.

关 键 词:异质结双极晶体管 HBT 直流特性 可靠性 SI/SIGE/SI 硅锗 增益 

分 类 号:TN322.8[电子电信—物理电子学]

 

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