云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SI/SIGE/SI

SI/SIGE/SI: 作品数：16被引量：28H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：罗晋生孙英华陈建新程尧海沈光地更多>>; 相关机构：北京工业大学中国科学院西安交通大学东南大学更多>>; 相关期刊：《Journal of Rare Earths》《Modeling and Numerical Simulation of Material Science》《电子学报》《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金北京市科技新星计划国家教育部博士点基金北京市自然科学基金更多>>

一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析被引量：4: 《物理学报》2016年第5期90-97,共8页冯松薛斌李连碧翟学军宋立勋朱长军; 国家自然科学基金(批准号:61204080);陕西省教育厅科研计划(批准号:15JK1292);西安工程大学博士科研启动基金(批准号:BS1128;BS1436);西安工程大学研究生教育"质量工程"项目(批准号:15yzl10);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目(批准号:(2008)169)资助的课题~~; PIN结构是电光调制器中常见的一种电学调制结构,该结构中载流子注入效率直接影响着电光调制器的性能.在前期的研究中,我们在SOI材料的基础上提出了一种新型Si/Si Ge/Si双异质结PIN电学调制结构,可以有效提高载流子注入效率,降低调制功耗...; 关键词：光电子器件电光调制器锗硅异质结能带

热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散被引量：1: 《功能材料与器件学报》2014年第6期205-208,共4页文娇刘畅俞文杰张波薛忠营狄增峰闵嘉华; 上海市自然科学基金(项目编号:12ZR1453000;12ZR1453100;12ZR1436300);国家自然科学基金(项目编号:61306126;61306127;61106015)资助; 利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/Si Ge异质界面的硼(B)浓度梯度抑制...; 关键词：Si/SiGe互扩散热载荷硼浓度梯度

Modelling of the Quantum Transport in Strained Si/SiGe/Si Superlattices Based P-i-n Infrared Photodetectors for 1.3 - 1.55 μm Optical Communication: 《Modeling and Numerical Simulation of Material Science》2014年第1期37-52,共16页Noureddine Sfina Naima Yahyaoui Moncef Said Jean-Louis Lazzari; In this paper, a p-i-n heterojunction based on strain-compensated Si/Si1-xGex/Si multiple quantum wells on relaxed Si1-yGey is proposed for photodetection applications. The Si1-yGey/Si/Si1-xGex/Si/Si1-yGey stack consi...; 关键词：STRAINED SIGE/SI Quantum WELLS Band Structure Device Engineering P-I-N Infrared Photodetectors

量子阱Si/SiGe/Si p型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型: 《物理学报》2012年第16期348-354,共7页李立刘红侠杨兆年; 国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005)资助的课题~~; Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了G...; 关键词：SIGE P型场效应管阈值电压量子阱空穴面密度

Photoreflectance Spectroscopy for Study of Si/SiGe/Si Heterostructure: 《Journal of Rare Earths》2004年第z2期17-20,共4页Liu Zhihong Chen Changchun Lin Huiwang Xiong Xiaoyi Dou Weizhi Tsien Pei-Hsin; UHVCVD-grown Si/Si1- xGex/Si heterostructure was investigated by Photoreflectance spectroscopy (PR). The principle of PR used in semiconductor film was thoroughly described. According to the E1 transition energy in th...; 关键词：SIGE/SI photoreflectance UHVCVD

Characterization of Si/SiGe/Si Deposited on SIMOX SOI by Synchrotron Radiation X-Ray Double-crystal Topography: 《Journal of Rare Earths》2004年第z2期5-7,共3页Ma Tongda Tu Hailing Hu Guangyong Wang Jing; The synchrotron X-ray double-crystal topography was employed to investigate the structure of Si/SiGe/Si deposited on SIMOX SOI. Rocking curves with three diffraction peaks were acquired before and after 180° rotation...; 关键词：SYNCHROTRON radiation double-crystal TOPOGRAPHY TILT STRAINED relaxation

Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性: 《微纳电子技术》2003年第10期17-19,共3页崔福现张万荣; 对单台面SiGeHBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢。; 关键词：异质结双极晶体管 HBT 直流特性可靠性 SI/SIGE/SI 硅锗增益

The property of Si/SiGe/Si heterostructure during thermal budget characterized by HRXRD: 《Nuclear Science and Techniques》2003年第4期238-241,共4页CHENChang-Chun LIUZhi-Hong HUANGWen-Tao DOUWei-Zhi ZHANGWei TSIENPei-Hsin ZHUDe-Zhang; the National High Technology and Research Development Program(863 Program)of China(No.2002AA321230);partially supported by the National Natural Sciences Foundation of China(No.10075072); Si/SiGe/Si heterostructures grown by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) werecharacterized by Rutherford backscattering/Channeling (RBS/C) together with high resolution X ray diffraction(HRXRD). High ...; 关键词：Si/SiGe/Si异质结构热平衡 HRXRD 超高真空化学气相沉积 UHVCVD X射线衍射

射频Si/SiGe/Si HBT的研究: 《电子器件》2003年第2期136-138,共3页廖小平殷刚毅; 东南大学科学基金资助; 在Si/SiGe/Si HBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/Si HBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率f_τ和最高振荡频率f_(max)的关系,成功地制备了f_τ为2...; 关键词：Si/SiGe/SiHBT 特征频率fT 最高振荡频率fmax

Si/SiGe/Si HBT的直流特性和低频噪声被引量：1: 《电子器件》2003年第1期22-24,共3页廖小平张中平; 东南大学科学基金资助; 在对Si/SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺的研究基础上 ,研制成功低噪声Si/SiGe/SiHBT ,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性。; 关键词：SI/SIGE/SI HBT 直流特性低频噪声

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