P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响  

THE EFFECT OF P-DOPING UPON DEFINITION OF Al COMPOSITION OF AlGaInP QUATERNARY DOUBLE HETEROJUNCTION LIGHT-EMITTING DIODES

作　　者：陈贵楚[1] 范广涵[1] 陈练辉[1] 刘鲁[1] 

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631

出　　处：《华南师范大学学报（自然科学版）》2003年第3期64-68,79,共6页Journal of South China Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：国家科技攻关计划资助项目(00-068)

摘　　要：在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.In the case of no determination of Al composition on blocking layer,the authors have proved there is an optimum Al composition on occasions of various p-doping so that carriers in undoped layer would recombine on the largest scale by analyzing their transportion in double heterojunction. The law of p-doping upon definiton of Al composition and the optium p-doping density have achieved. These achievments would have a guidance to device structure design and MOCVD epitaxy.

关 键 词：双异质结发光二极管 ALGAINP AI组分 P型掺杂 金属有机化合物气相沉积 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]