压阻式高量程微加速度计的冲击校准  

Shock calibration of piezoresistive high-g_n microaccelerometer

作　　者：郇勇[1] 张泰华[1] 杨业敏[1] 王钻开[2] 陆德仁[2] 

机构地区：[1]中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室,北京100080 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家实验室,上海200050

出　　处：《传感器技术》2003年第11期78-80,共3页Journal of Transducer Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10102021)和(10172086);中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-SW-L2);973项目(G1999033103)的共同资助

摘　　要：采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。A piezoresistive highgn microaccelerometer, whose capacity is designed up to 50#000#gn,has been developed by using silicon micromachining and diffusion techniques.The chip is made of singlecrystal silicon and is packaged with ceramics.In order to determine the dynamic sensitivity,shock calibration tests are performed by using Hopkinson bar at up to 40#000#gn acceleration level.The microaccelerometer has a measured sensitivity of 1.26 μV/gn with a 6.33#V bridge excitation voltage.

关 键 词：微电子机械系统 微加速度计 Hopkinmn杆 校准 扩散技术 芯片结构 

分 类 号：TH824.4[机械工程—仪器科学与技术]