PZT铁电薄膜刻蚀的研究进展  

Advances of PZT Ferroelectric Thin Films in Etching Techniques

作　　者：史鹏[1] 姚熹[1] 吴小清[1] 张良莹[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安710049

出　　处：《压电与声光》2003年第5期386-389,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家"八六三"基金(715-002-0250);西安交通大学培植项目"复合铁电薄膜红外探测器阵列"和"中国-以色列国际合作项目"

摘　　要：PZT铁电薄膜器件在微电子领域有着广泛的应用,可用于制备微机械系统(MEMS)、DRAM、红外探测器等,而薄膜的微图形化刻蚀技术是制备工艺中重要的环节。该文主要介绍了PZT铁电薄膜刻蚀技术的研究进展和应用,并对各种刻蚀法进行分析和对比。PZT thin films have many important applications in microelectronic fields. They can be used to make some advices, such as MEMS, DRAM, infrared devices et al. The etching techniques and micropattern of PZT thin films are very important to the preparation of devices. This article chiefly introduces some etching techniques of PZT thin films and the related results, gives some comparisons about these methods.

关 键 词：PZT 铁电薄膜 刻蚀 微图形 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]