制备HgCdTe红外焦平面器件的离子注入技术  

作　　者：王庆学[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外》2003年第12期14-23,共10页Infrared

摘　　要：1 前言 碲镉汞光伏型红外焦平面列阵器件(IRFPAs)是以外延材料为基础发展起来的,其基本工作原理利用了p-n结的光电效应.

关 键 词：离子注入技术 碲镉汞光伏型红外焦平面器件 光电效应 PN结 掺杂技术 液相外延 分子束外延 X衍射表征 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]