接近式光刻的计算机模拟研究  

Study on computer simulation of proximity lithography

作　　者：田学红[1] 刘刚[1] 田扬超[1] 张新夷[2] 张鹏[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥230029 [2]复旦大学同步辐射研究中心,上海200433

出　　处：《微纳电子技术》2003年第7期181-185,共5页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (G19990 3 3 10 9)"973"资助项目

摘　　要：分析了菲涅耳近似模型在接近式光刻模拟中的应用和误差起源 ,并根据光的标量衍射理论 ,对菲涅耳近似模型进行了修正 ,得到了更加准确的类菲涅耳近似模型 ;The computer simulation of proximity lithography is investigated in this paper. Comparing with the Fresnel diffraction model, a more accurate model is constructed depending on the scalar diffraction theory of light propagation. The differences of two models are given in this paper.

关 键 词：接近式光刻 计算机模拟 菲涅耳衍射 微机电系统 接触式光刻 离散化模型 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]