接近式光刻

作品数:17被引量:16H指数:3
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相关机构:中国科学技术大学中国科学院上海光学精密机械研究所复旦大学中国科学院长春光学精密机械研究所更多>>
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全息光刻技术(特邀)
《中国激光》2024年第12期227-253,共27页刘宇洋 潘东超 付迪宇 李思坤 
国家自然科学基金(62374167,U22A2070)。
全息光刻是一种先进的掩模对准光刻,是接近式光刻的拓展,为大面积图形制造、集成电路互连封装以及微纳结构制造提供了一种方法。用全息掩模代替接近式光刻中的二值掩模,可以提高分辨率和成像对比度。与主流的投影式光刻相比,全息光刻无...
关键词:全息光刻 接近式光刻 全息掩模 分辨率增强技术 
接触/接近式光刻UV-LED光源测试分析与工艺研究
《电子工业专用设备》2021年第1期1-4,33,共5页陈威 党景涛 王河 周庆奎 庞超群 
通过对比混波UV-LED(Ultraviolet Light Emitting Diode)光源和单波UV-LED光源的性能和工艺实验,优化了混波UV-LED光源光刻工艺。光源性能主要对比了两种光源最大光照强度和光强均匀度,工艺实验选用不同光照强度15 mW/cm^(2)、20 mW/cm^...
关键词:光刻机 UV-LED光源 光刻工艺 
接近式光刻中基于条纹相位解析的掩模硅片面内倾斜校正研究
《制造技术与机床》2016年第9期98-102,共5页佟军民 徐锋 胡松 
国家自然科学基金资助项目(61204114;61274108;61376110);四川省教育厅基金资助项目(16ZB0141)
针对接近式光刻中掩模硅片面内倾斜提出一种条纹相位解析方法。该方法通过2D傅里叶变换结合2D汉宁窗对于掩模硅片在面内发生的倾斜而形成的倾斜条纹进行处理,获得掩模硅片在面内的倾斜角度,进而进行倾斜校正。数值模拟与实验验证了该方...
关键词:纳米光刻 对准 面内倾斜 条纹图形分析 相位解析 
厚胶接近式光刻中掩模优化研究(英文)
《强激光与粒子束》2015年第7期203-208,共6页何骏 刘世杰 王斌 郭猛 王岳亮 
Supported by National Natural Science Foundation of China(11104295)
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶厚度方向上畸变的特点,提出了双面曝光和亮衬线、灰阶掩模相结合的办法,利用遗传算法对失真影响最大的区...
关键词:光刻 光学邻近效应 掩模优化 厚胶 遗传算法 
接近式光刻衍射光场的有效波前作用规律分析被引量:2
《光学学报》2010年第2期525-530,共6页李木军 沈连婠 赵玮 郑津津 周杰 
国家自然科学基金(10775128);中国博士后科学基金(20080430773)资助课题
掩模图形不同区域的波前因衍射光的相干叠加作用而对光刻胶上的场点产生不同的影响。为研究这一作用规律,采用波前分割的方法对掩模图形上的波前进行区域划分,并利用光场相干叠加相互抵消的性质,最终得到了掩模图形上对场点光场影响最...
关键词:光刻 相干叠加 波前分割 半波带 
基于遗传算法的接近式紫外光刻中掩模补偿优化研究被引量:1
《系统仿真学报》2008年第17期4601-4604,共4页李晓光 沈连婠 李木军 郑津津 张四海 
国家自然科学基金(60473133)
针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题,基于补偿思想,应用遗传算法,在引起衍射的掩模特征处,通过调整其形状,实现了光刻胶表面的衍射光场调制。根据光刻曝光轮廓特点,设计评价策略,提出一种分段分类的思想,减小了问题的求解...
关键词:接近式光刻 遗传算法 掩模优化 掩模 UV-LIGA 
接近式光刻的角谱法仿真研究被引量:1
《微细加工技术》2007年第4期22-26,46,共6页李晓光 沈连 郑津津 李木军 陈有梅 
国家自然科学基金资助项目(60473133)
在基于UV-LIGA技术的大高宽比微细结构的加工技术中,接近式紫外光刻工艺会因衍射效应而使掩模图形在复制过程中产生图形失真,从而引起光刻胶结构的形状缺陷。对该衍射光场进行计算机仿真,预测光刻图形误差,可以为误差修正提供理论依据...
关键词:紫外曝光 接近式光刻 快速傅里叶变换 衍射仿真 
微电子机械系统的新制造工艺技术(英文)
《电子工业专用设备》2004年第1期12-15,共4页Paul Lindner Christian Schaefer Shari Farrens Viore Dragoi 
随着微电子机械系统新应用的不断推出,使得特殊制造工艺技术得到空前的发展。在过去的10年里,汽车是微电子机械系统产品商业化的推动力。如今,我们进入了以消费品和信息技术的产品占很高份额的微电子机械系统生产制造的新时代,如微射流...
关键词:接近式光刻 高真空键合技术 加速度器 大间距厚胶对技术 厚光刻胶 
接近式光刻的计算机模拟研究被引量:7
《微纳电子技术》2003年第7期181-185,共5页田学红 刘刚 田扬超 张新夷 张鹏 
国家重点基础研究发展规划 (G19990 3 3 10 9)"973"资助项目
分析了菲涅耳近似模型在接近式光刻模拟中的应用和误差起源 ,并根据光的标量衍射理论 ,对菲涅耳近似模型进行了修正 ,得到了更加准确的类菲涅耳近似模型 ;
关键词:接近式光刻 计算机模拟 菲涅耳衍射 微机电系统 接触式光刻 离散化模型 
接近式光刻的计算机模拟研究被引量:3
《微细加工技术》2003年第2期43-48,共6页田学红 刘刚 田扬超 张新夷 张鹏 
国家重点基础研究发展规划(973)资助项目(G1999033109)
在接近式光刻中,衬底上的光强分布主要是受掩模与衬底间的间隙引起的衍射影响。一般的模拟分析中,都是利用菲涅尔近似模型进行分析。根据光的标量衍射理论,分析了菲涅尔近似模拟的误差起源,并对菲涅耳近似模型进行了修正,得到了更加准...
关键词:接近式光刻 计算机模拟 标量衍射理论 菲涅尔近似模型 类菲涅耳近似模型 
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