纳米晶SnO2薄膜的结晶特性  

作　　者：王占和[1] 吴海霞[1] 蒋煜婧[1] 邢懋腾[1] 詹杰[1] 

机构地区：[1]北京理工大学电子工程系，北京100081

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期110-113,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用磁控溅射技术，使用混合气体Ar和O2，在衬底温度为150-400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2：Sb透明导电薄膜，通过测定X射线衍射谱，表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向，测量了SnO2：Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE—SEM表面及断面形貌。

关 键 词：磁控溅射 纳米晶 SNO2薄膜 结晶特性 FE—SEM 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TN305.92[理学—物理]