p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列  

p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array

作　　者：杨红官[1] 施毅[1] 闾锦[1] 濮林[1] 沈波[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第2期179-184,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB3 0 9);国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 2 1;60 2 3 60 10 )资助项目~~

摘　　要：采用巴丁 (Bardeen)传输哈密顿方法 ,数值计算了 p沟道锗 /硅异质纳米结构存储器的时间特性 .由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用 ,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储 ,具有优异的存储特性 .以 2× 2逻辑阵列为例说明了这类存储器单元组成逻辑电路的设计原理 .研究结果表明 :这种器件可以作为在室温下工作的性能优异的非易失性存储器单元 ,有望在将来的超大规模集成电路中获得应用 .Basing on Bardeen's transfer Hamiltonian formalism,the charge storage characteristics of p-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory is simulated.Owing to the advantages of a compound potential well and a higher offset in the valence band,this kind of memory can possess the advantages of both high-speed programming and long retention simultaneously,and thus it has the well storage characteristics.Furthermore,a 2×2 logical array is used to illustrate the principle of logical.Therefore,this kind of device,as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature,is desired for the applications in the future VLSI.

关 键 词：锗/硅 异质纳米结构 存储器 空穴隧穿 数值模拟 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]