GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究  

Study of Negative Capacitance Effect of GaN Blue LEDs

作　　者：曾志斌[1] 朱传云[1] 李乐[1] 赵锋[1] 王存达[1] 

机构地区：[1]天津大学应用物理学系,天津300072

出　　处：《光电子．激光》2004年第4期402-405,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60376027)

摘　　要：利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容 电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率越低、正向电压越大,这种负电容现象就越明显。研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合。An experimental study on the capacitance-voltage characteristic of GaN blue LEDs (light emitting diodes) was presented by AC small-signal method. Negative capacitance phenomenon of GaN blue LEDs was observed experimentally, and the phenomenon is more obvious with higher voltage or lower frequency. The phenomenon could be attributed to the radiation recombination of the charges in the active zone.

关 键 词：GAN 氮化镓 蓝光发光二极管 负电容 电容-电压特性 LED 辐射复合 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]