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作 者:王水弟[1] 蔡坚[1] 谭智敏[1] 胡涛[1] 郭江华[1] 贾松良[1]
出 处:《半导体技术》2004年第4期27-30,共4页Semiconductor Technology
摘 要:介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺。同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究。对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平。A method of Au bump fabrication has been studied for wafer level packaging. Theprocess flow of the bumping using electroplating is described. UBM sputtering, thick photoresistlithography and thick Au electroplating are investigated. UBM system of TiW/Au is selected andoptimal process of thick photoresist lithography is got after experiments. A fountain-plating ma-chine has been developed for wafer level Au bumping. Studies on the parameter of electroplating arealso performed with different plating solutions and photoresist systems. A comparison between Aubumps fabricated and those of other vendors is made, which indicates the fabricated bumps could beused for application.
分 类 号:TN305.94[电子电信—物理电子学]
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