LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战  

LDMOS RF Power Transistors Address New Challenges in 2.5G and 3G Cellular Basestations

作　　者：Steve Jones 

机构地区：[1]杰尔系统(Agere)射频系统

出　　处：《世界电子元器件》2003年第7期44-46,共3页Global Electronics China

摘　　要：运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体管如今最大的市场.其中,基于硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz-2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中.作为增强模式的N沟道MOSFET,LDMOS器件(LD代表侧面扩散,描述了器件的沟道结构)专门被设计成为具有高的工作电压(长沟道)和低寄生电容,从而能在高频下工作.在早期的蜂窝无线系统中,其它的功率晶体管技术如基于硅的双极晶体管和GaAsMOSFET在相互竞争.而现在基于硅的LDMOS已经崛起,并将在今后的蜂窝基站应用中取代其他技术成为市场主流.

关 键 词：LDMOS 射频晶体管 3G 基站 MOSFET 蜂窝无线基站 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TN929.5