等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究  

Influence of Process Parameters on the Etching Rate in Inductively Coupled Plasma Etcher

作　　者：陈晓南[1] 杨培林[1] 庞宣明[1] 袁丛清[1] 

机构地区：[1]西安交通大学机械工程学院,西安710049

出　　处：《西安交通大学学报》2004年第5期546-547,共2页Journal of Xi'an Jiaotong University

基　　金：陕西省自然科学研究基金资助项目(2 0 0 2E2 0 7)

摘　　要：用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500W、自偏压为150V、流量为50cm3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下,硅的刻蚀速率达到了0 80μm/min.

关 键 词：感应耦合等离子体 干法刻蚀 硅 

分 类 号：TP205[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]