用CH_4—H_2直流弧光放电CVD法高速合成金刚石薄膜  

作　　者：蒋翔六[1] 张仿清[2] 李敬超[2] 杨斌[2] 杨映虎[2] 陈光华[2] 

机构地区：[1]北京市科学技术研究院 [2]兰州大学物理系

出　　处：《兰州大学学报（自然科学版）》1989年第3期163-164,共2页Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)

摘　　要：气相人工合成的金刚石薄膜具有与天然金刚石相同的超硬、高热导率、高电阻率及抗蚀性等独特的物理化学性质,具有重要的应用前景。近年来,用热等离子体的化学气相沉积(CVD)方法高生长速率的合成金刚石薄膜,如辉光、弧光转换区放电、弧光放电和等离子喷射等方法的研究报导,已引起学术界的兴趣和重视。

关 键 词：金刚石薄膜 直流弧光放电 CVD法 

分 类 号：TQ163[化学工程—高温制品工业]