具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT  

n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs Double Modulation Doped Pseudomorphic HEMT with MIS Structure

作　　者：相奇 罗晋生[1] 曾庆明[2] 周均铭[3] 黄绮[3] 

机构地区：[1]西安交通大学微电子研究室,西安710049 [2]机械电子部第十三研究所,河北石家庄050051 [3]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》1992年第2期109-115,T001,共8页半导体学报（英文版）

基　　金：国家教委博士点基金

摘　　要：本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.The n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs Double Modulation Doped Pseudomorphic HEMTs withMIS structure combining the advantages of MISFET and double modulation doped pseudomor-phic HEMT have been designed and fabricated.For the lμm gate device, the maximum draincurrent reaches 400 mA/mm,and the gate reverse breakdown voltage is as high as 15V. Thedevices also show the good microwave characteristics.

关 键 词：调制掺杂 HEMT MIS结构 MIS-DHEMT 

分 类 号：TN322.2[电子电信—物理电子学]