Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备  

Fabrication of MBE-Grown GaAs MESFET and IC on Si Substrate

作　　者：庄庆德[1] 李明祥[1] 钱文生[1] 童勤义[1] 林新民 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210018 [2]八达微波器件厂,杭州310012

出　　处：《固体电子学研究与进展》1992年第3期211-215,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础上,制备了性能良好的GaAs/Si MESFET与IC。In this paper, the research on fabricating GaAs MESFET and IC MBE-grown on' silicon substrate is reported. For the purpose of on chip integrating GaAs IC and Si IC,Ni/ AuGe/Ni/Au is used for ohmic metallization, Ti/TiW/Au for Schottky and interconnect metallization and SiN/polymide doublelayer dielectric for interlayer fabrication, Based on this process,well performed GaAs/Si MESFET and IC have been fabricated.

关 键 词：分子束 金属半导体 场效应管 衬底 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]