国家高技术研究发展计划(2003AA325010)

作品数：7被引量：37H指数：3
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相关机构：北京科技大学中国科学院东北大学沈阳理工大学更多>>
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改善AMR薄膜磁电阻传感器线性度的几种方法被引量：2
《北京科技大学学报》2006年第8期744-749,共6页王立锦 
国家高技术研究"863计划"资助项目(No.2003AA325010)
在分析金属薄膜磁电阻传感器非线性产生原因的基础上,提出了几种设计AMR(各向异性磁电阻)薄膜磁电阻传感器时改善其线性度的方法.用直流磁控溅射方法制备了Ni80Fe20和Ni65Co35AMR薄膜材料;用微加工工艺制做出了几种AMR传感器元件,并给...
关键词：金属薄膜 各向异性磁电阻效应 传感器 线性度 微加工 
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