安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金(2010A001004D)

作品数：5被引量：21H指数：2
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热处理时间对氧化钒薄膜相变性能的影响
《半导体光电》2013年第5期804-806,810,共4页张鹏 路远 乔亚 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金项目(2010A001004D)
采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到具有相变特性的VO2薄膜。分别利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析了薄膜的组分、结晶结构和表...
关键词：直流磁控溅射 氧化钒薄膜 热氧化 低相变温度 
溅射时间对氧化钒薄膜性能的影响被引量：1
《压电与声光》2013年第3期426-428,434,共4页张鹏 路远 乔亚 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金资助项目(2010A001004D)
采用直流磁控溅射法在普通玻璃上制备了氧化钒薄膜,并对薄膜采取了450℃真空退火处理,分别测量了退火前后薄膜XRD图谱及电阻,比较了不同溅射时间(120min、100min、60min)对薄膜性能的影响。结果表明,溅射时间增长,薄膜的结晶度也增强,...
关键词：氧化钒 薄膜 退火 电学性能 溅射时间 
退火对不同基底上氧化钒薄膜电阻的影响被引量：2
《半导体光电》2012年第6期850-852,905,共4页张鹏 路远 乔亚 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金项目(2010A001004D)
采用直流磁控溅射的方法分别在普通玻璃与硅片上制备了氧化钒薄膜,在大气及真空氛围下分别对样品采取了退火处理,测量了退火前后薄膜的电阻,结合样品的XRD图谱进行了分析。结果表明,在普通玻璃和硅片上均得到了V2O5薄膜。经过大气氛围...
关键词：直流磁控溅射 氧化钒薄膜 退火 
二氧化钒薄膜对红外脉冲功率激光的智能防护分析被引量：14
《红外与激光工程》2012年第11期2886-2890,共5页路远 凌永顺 冯云松 张鹏 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金(2010A001004D)
VO2是一种固态热致变色材料，它的晶态结构可以在半导体一金属一绝缘体之间可逆转变。介绍了VO2的相变特性，研究了氧化钒的相变机理。根据激光对光电探测器的损伤机理，研究了氧化钒薄膜对红外脉冲功率激光的智能防护。当CO2脉冲激光...
关键词：VO2 相变 红外激光 防护 
三氧化钨薄膜的红外发射率调制技术被引量：4
《红外与激光工程》2011年第7期1221-1224,共4页路远 冯万鼎 乔亚 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金(2010A001004D)
研究了利用载流子对材料表面的红外发射率进行调制的方法。根据电磁波理论,讨论了物体表面的发射率与折射率的关系,折射率大的物体发射率低。物质的折射率与其中的载流子浓度有关,通过控制载流子的浓度可以对材料的发射率进行调制。以...
关键词：红外发射率 折射率 调制 三氧化钨薄膜 
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