安徽省高等学校省级质量工程项目(2010jyxm646)

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基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型
《宿州学院学报》2014年第4期74-77,共4页韩名君 李长波 钱峰 陶玉贵 
安徽省高校省级优秀青年人才基金重点项目"考虑结深的纳米MOS器件二维建模与统计涨落模型研究"(2013SQRL148ZD);安徽省质量工程项目"维修电工职业技能人才培养模式的研究"(2010jyxm646);芜湖职业技术学院院级科研项目"短沟MOSFET器件电势和电容的二维半解析模型"(Wzyzr201308)
随着器件工艺的更新,亚阈值电流对MOSFET的亚阈值特性的影响越来越大,但是目前的计算均是基于一维或者准二维电势模型,计算量小但是误差大。基于二维电势模型,使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程,并用泰勒级数展开法...
关键词:MOSFET 亚阈值电流 二维电势模型 热电子电流 
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