国家自然科学基金(61150110485)

作品数：2被引量：1H指数：1
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相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：穿通LDMOS器件横向扩散金属氧化物半导体静电放电LDMOS更多>>
相关领域：电子电信更多>>
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LDMOS器件软失效分析及优化设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期580-584,共5页黄龙 梁海莲 毕秀文 顾晓峰 曹华锋 董树荣 
国家自然科学基金资助项目(61171038,61150110485);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B,JUDCF13032);江苏省科技厅产学研联合创新资金前瞻性联合研究项目(BY2013015-19);江苏省普通高校研究生创新计划(CXLX13-747,KYLX-1119)
横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺...
关键词：横向扩散金属氧化物半导体 静电放电 软失效 体穿通 传输线脉冲测试 
Investigation of the trigger voltage walk-in effect in LDMOS for high-voltage ESD protection
《Journal of Semiconductors》2014年第9期56-59,共4页梁海莲 董树荣 顾晓峰 钟雷 吴健 于宗光 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61171038,61150110485);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK20130156);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(Nos.JUSRP51323B,JUDCF13032);the Summit of the Six Top Talents Program of Jiangsu Province(Nos.DZXX-053 and DZXX-027);the Graduate Student Innovation Program for Universities of Jiangsu Province(No.CXLX13_747)
The trigger voltage walkin effect has been investigated by designing two different laterally diffused metal-oxide-semiconductor （LDMOS） transistors with an embedded silicon controlled rectifier （SCR）. By inserting...
关键词：electrostatic discharge laterally diffused metal-oxide-semiconductor silicon control rectifier triggervoltage walk-in effect 
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