国家重点基础研究发展计划(2006CB932400)

作品数：2被引量：4H指数：1
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相关主题：碳纳米管碳纳米管材料扫描电子显微镜一维纳米材料CMOS技术更多>>
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后摩尔时代的基于一维纳米材料的CMOS技术被引量：1
《中国科学（G辑）》2008年第11期1488-1495,共8页彭练矛 梁学磊 陈清 张志勇 王胜 
国家自然科学基金(批准号:10434010;90606026和60571002);国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB932400);国家纳米科学中心资助项目
基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型(空穴型)场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应的硅基场效应晶体管.最近北京大学研究组关于高性能室温弹道n型(电子型)碳纳米管场效应晶体管的研究为基...
关键词：纳米CMOS技术 碳纳米管 纳米器件 
碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像被引量：3
《电子显微学报》2007年第5期395-399,共5页彭练矛 王胜 梁学磊 张志勇 姚昆 胡又凡 高旻 陈清 
国家重点基础研究发展计划纳米研究项目(No.2006CB932400).
本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题。一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂。但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且与金属电极相连的单壁碳纳米管的成像机理则相对简单。单壁碳...
关键词：扫描电子显微镜 碳纳米管 纳米器件 
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