张志勇

作品数:19被引量:48H指数:5
导出分析报告
供职机构:北京大学更多>>
发文主题:场效应晶体管碳纳米管石墨烯半导体纳米材料霍尔元件更多>>
发文领域:电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
发文期刊:《北京大学学报(自然科学版)》《物理化学学报》《科学通报》《微纳电子技术》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重大项目更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
基于一维电子体系的超导复合器件和量子输运研究
《物理学报》2025年第7期68-82,共15页邓小松 张志勇 康宁 
国家自然科学基金(批准号:12374035,62225101);科技创新2030-“量子通信与量子计算机”重大项目(批准号:2021ZD0302600)资助的课题。
低维电子材料与超导材料的复合体系一直是研究介观输运和低维超导特性的重要平台,其中具有强自旋轨道耦合效应的低维结构与超导宏观量子态结合呈现出丰富的量子现象,为探索新物性和研制新型拓扑量子器件提供了一个理想的平台.采用高质...
关键词:一维电子体系 量子输运 拓扑器件 超导复合器件 
碳纳米管单片三维集成电路
《固体电子学研究与进展》2024年第6期487-502,共16页谢雨农 张志勇 
国家自然科学青年基金资助项目(62401531)。
随着人工智能、大数据等领域的发展,对芯片算力和能效的要求越来越高。传统的硅基芯片技术面临功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,亟须新的沟道材料和芯片架构来推动信息电子产业的继续向前。碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)因其优异的电...
关键词:碳纳米管 单片三维集成电路 场效应晶体管 低维半导体材料电子学 
主题:碳基电子器件及应用
《固体电子学研究与进展》2024年第2期184-184,共1页张志勇 李忠辉 
碳基电子技术被认为是“后摩尔时代的颠覆性技术之一”,以三维金刚石、二维石墨烯和一维碳纳米管等为典型代表的碳基电子材料各具优异特性,给新一代射频、太赫兹、高线性以及光电探测传感等器件领域带来了技术创新甚至变革性应用的希望...
关键词:固体电子学 专题栏目 性能潜力 碳基材料 光电探测 变革性 技术交流 颠覆性技术 
高性能石墨烯霍尔传感器被引量:8
《物理学报》2017年第21期205-222,共18页黄乐 张志勇 彭练矛 
国家重点研发计划纳米科技重点专项项目(批准号:2016YF0201900);国家自然科学基金(批准号:61390504,61621061);北京市科学技术委员会先导与优势材料创新项目(批准号:D161100002616001-3)资助的课题~~
本文回顾了石墨烯霍尔传感器的相关研究工作.通过改善石墨烯生长转移和霍尔元件的微加工工艺,石墨烯霍尔元件和霍尔集成电路都展示出超越传统霍尔传感器的优异性能.石墨烯霍尔元件的灵敏度、分辨率、线性度和温度稳定性等重要指标都优...
关键词:石墨烯 霍尔传感器 霍尔元件 霍尔集成电路 
碳纳米管场效应晶体管:现状和未来被引量:6
《中国科学:物理学、力学、天文学》2016年第10期46-62,共17页刘力俊 张志勇 
国家自然科学基金资助项目(编号:61321001;61322105;61376126)
硅基互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)场效应晶体管工艺已经发展到了14 nm技术节点,预计将很快到达其极限,需要寻找新的信息器件来延续摩尔定律.由于具备超小尺寸、高迁移率等显著优点,碳纳米管...
关键词:碳纳米管 场效应晶体管 纳米电子 
碳基集成电路的研发优势与发展现状被引量:3
《新材料产业》2015年第8期30-34,共5页梁世博 张志勇 彭练矛 
传统的硅基半导体技术正临近发展极限,信息产业即将面对重要历史转折点,这也是中国信息产业界前所未有的机遇。伴随着可移动智能设备、云存储和大数据处理的广泛应用,迅速发展的信息产业对未来的半导体芯片和信息处理技术提出了前所...
关键词:集成电路 半导体芯片 优势 研发 碳基 信息产业 信息处理技术 智能设备 
石墨烯霍尔元件被引量:2
《科学通报》2014年第33期3212-3223,共12页张怡玲 陈冰炎 黄乐 徐慧龙 张志勇 彭练矛 
国家自然科学基金(61321001,61390504);国家重点基础研究发展计划(2011CB933001,2011CB933002)资助
回顾了石墨烯霍尔元件的现状,并展望了其应用前景.石墨烯霍尔元件能够充分发挥石墨烯材料迁移率高和单原子薄层等优势,规避其没有带隙或者小带隙的缺陷,其主要的性能包括灵敏度、线性度、分辨率、温度稳定性等都超过了基于传统半导体材...
关键词:石墨烯 传感器 霍尔元件 迁移率 集成电路 
碳基纳电子材料与器件被引量:5
《中国科学:技术科学》2014年第10期1071-1086,共16页彭练矛 张志勇 王胜 梁学磊 
国家重点基础研究发展计划纳米研究基金(编号:2011CB933000);国家自然科学基金创新研究群体基金(编号:61321001);北京市科学技术委员会基金(编号:Z131100003213021;Z141100003814006)资助
现代信息技术的基石是集成电路芯片,而构成集成电路芯片的器件中约90%是源于硅基CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor,互补金属-氧化物-半导体)技术.经过半个世纪奇迹般的发展,硅基CMOS技术即将进入14 nm技术节点,并将在2020...
关键词:碳基纳电子技术 纳电子材料 纳米电子 纳米光电子 
石墨烯的量子电容被引量:2
《物理》2012年第12期789-795,共7页邱晨光 徐慧龙 张志勇 彭练矛 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB933001;2011CB933002)资助项目
量子电容在半导体纳米材料和器件中是一个日趋重要的参数,测量和提取石墨烯的量子电容,不仅可以得到石墨烯的重要物理性质,而且对石墨烯晶体管的尺寸缩减行为具有重要指导意义.文章中采用简单工艺在石墨烯上制备出均匀超薄的高质量Y2O3...
关键词:石墨烯 量子电容 顶栅场效应晶体管 纵向缩减 Y2O3 
基于碳纳米管的CMOS逻辑电路的模拟和优化
《北京大学学报(自然科学版)》2009年第3期415-420,共6页王昦 张志勇 王胜 陈清 
国家自然科学基金资助项目(60440420450,60571002)
基于查表模型,利用SPICE(simulation program with integrated ciruit emphasis)电路模拟软件,首次模拟了互补型碳纳米管(CNT)场效应晶体管组成的反相器,模拟结果和实验结果吻合,实现了碳纳米管场效应晶体管的实际测量数据和半经验查表...
关键词:碳纳米管 场效应晶体管 查表模型 反相器 直流特性 瞬态特性 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部